中文名称:二氟化氙

中文别名:二氟化氙;四氟化氙

英文名称:Xenon tetrafluoride

英文别名:XENON(II)FLUORIDE;XENON DIFLUORIDE;XeF4;Xenon fluoride (XeF4);Xenon fluoride (XeF4), (T-4)-;xenon tetrafluoride;XENON DIFLUORIDE, ELECTRONIC GRADE;Tetrafluoroxenon

CAS:13709-61-0

EINECS:237-260-1

分子式:F2Xe

分子量:169.29

分子结构:

危险标志: 

风险术语:与可燃材料接触可能引起火灾、吞食有毒、吸入剧毒、导致烧伤

安全术语:远离易燃材料、如果接触眼睛，请立即用大量清水冲洗喝水并寻求医疗建议、接触皮肤后，立即用大量…（由制造商规定）、穿戴合适的防护服、戴上合适的手套、佩戴眼部/面部防护用品、如果发生事故或感到不适，请就医立即提出建议（如有可能，展示标签）

物化性质:-

熔点:129 °C(lit.)

相对密度:4.32 g/mL at 25 °C(lit.)

溶解性:reacts violently with H2O, forming Xe, O2, HF, and XeO3 [DOU83]

用途:制备一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层，包括如下步骤：(1)将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面；(2)采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率。本发明通过向电介质层上表面的阻挡层照射光束，提高了电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率，避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀，提高了微观上的刻蚀均匀性，达到了更好的工艺效果。

上游原料:-

下游产品:氟化铈